收藏本站
Si3473DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.3
40
32
I D = 250 μA
0.2
24
0.1
0.0
16
T A = 25 °C
- 0.1
- 0.2
8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10- 2
10- 1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
Time (s)
Single Pulse Power
10
P(t) = 0.001
P(t) = 0.01
1
I D(on)
Limited
P(t) = 0.1
P(t) = 1
0.1
T C = 25 °C
P(t) = 10
DC
Single Pulse
BVDSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 90 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 71937
S09-2277-Rev. D, 02-Nov-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI3483DV-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP
SI3495DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
SI3529DV-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP
SI3812DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
SI3853DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
SI3867DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
SI3905DV-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP
SI3909DV-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
相关代理商/技术参数
SI3475DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI3475DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3475DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3476DV-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 80V D-S TSOP-6
SI3477DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12 V (D-S) MOSFET
SI3477DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si3480-A01-GM 功能描述:热插拔功率分布 8-port Pwr Manager Si3452/3PSE Prt Ctrl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:Controllers & Switches 电流限制: 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 0.3 V 工作温度范围: 功率耗散: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Tube
SI3480-A01-GMR 功能描述:电源开关 IC - POE / LAN 8-port Power Manager RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 开关数量:Single 开关配置:SPST 开启电阻（最大值）:7.3 Ohms 串话: 带宽: 开启时间（最大值）:13 ns 关闭时间（最大值）:20 ns 切换电压（最大）: 工作电源电压:8 V to 26 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220F-6